Технология на полупроводниковите прибори и интегрални схеми ІІ част
Вид на курса: задължителен, редовно		Ниво на курса: бакалавър		Година: 4
Семестър: 8	Брой кредити: 7
Цел на курса: С настоящата дисциплина се завършва обучението на студентите по технология на полупроводниковите прибори и интегрални схеми. Тази дисциплина е надстройка над дисциплината “Технология на полупроводниковите прибори и интегрални схеми - I част”, където изучените вече основни физикохимични процеси по създаването на микроелектронни елементи се интегрират, за да се изгради технологията на дискретния полупроводников прибор и интегралната схема.
Необходими условия: 1). Усвояването на тези знания е тясно свързано с широк кръг дисциплини, четени преди тази: химия и физика на твърдото тяло, материалознание (общо и частно), физика и електроника, математика и физикохимия, химия и физикохимия на полупроводниковите материали и др. 2) За провеждането на лекционния курс са необходими: лекционна зала с шрайбпроектор или мултимедийно оборудване и лаборатория с необходимото оборудване за провеждане на упражнения.
Съдържание на курса: Разгледани са в логична последователност физиката на омичните и изправящи контакти, физиката на приборите, в основата на които стои изправящия Р-N - преход, технологията на дискретните полупроводникови прибори и типови технологии на различните видове биполярни и МОС интегрални схеми. Разгледани са също проблемите на метализацията на микроелектронните структури, проблемите на епитаксиалното израстване при биполарните интегрални схеми, дефектообразуването в силиций при високотемпературните обработки и други.
Препоръчителна литература: 1. Г.Е.Епифанов, Физика твердого тела, Высшая школа, М., 1977. 2. В.В.Пасынков, Л.К.Чиркин, Полупроводниковые приборы, Высшая школа, М., 1987. 3. С.Вълков, И.Ямаков и др., Електронни и полупроводникови елементи и интегрални схеми, Техника, С., 1992. 4. И.Г.Пичугин, Ю.М.Таиров, Технология полупроводниковых приборов, Высшая школа, М., 1984. 5. А.И.Курносов, В.В.Юдин, Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, Высшая школа, М., 1986. 6. М.Г.Крутякова и др., Полупроводниковые приборы и основы их проектирования, Радио и связь, М., 1983. 7. Б.З.Мазель, Ф.П.Пресь, Планарная технология кремниевых приборов, Энергия, М., 1974. 8. Т.М.Рачева, Технологични основи на микроелектрониката, Печ.база МНП, С., 1990. 9. Т.Рачева, Е.Градинарска, Ръководство за упражнения по химикотехнологични основи на микроелектрониката, Печ.база МНП, С., 1985. 10. А.П.Достанко, Технология интегральных схем, Высшая школа, Минск, 1982. 11. С.Зи, Технология СБИС, том I и II, Мир, М., 1986. 12. Ю.Р.Носов, Оптоэлектроника, Сов.радио, М., 1977.
Методи на преподаване: Лекции, лабораторни упражнения.			Методи на оценяване: Писмен и устен изпит.
Кредити по видове дейност: Аудиторна заетост: 3,3 к. Извънаудиторна заетост: 3,7 к.