технология на полупроводниковите материали
Вид на курса: задължителен, редовно		Ниво на курса: бакалавър		Година: 4
Семестър: 8	Брой кредити: 6
Цел на курса: Учебната програма задълбочава теоретичните и приложни знания на студентите в областта на полупроводниковите материали и технологии. Едновременно с това същата цели изграждане на някои практически умения за работа със съвременно оборудване, което стандартно присъства в редица технологични процеси.
Необходими условия: 1) Усвояването на тези знания е тясно свързано с широк кръг дисциплини, четени преди тези: химия и физика на твърдото тяло, материалознание, физика и електроника, математика и физикохимия, химия и физикохимия на полупроводниковите материали и др. 2) За провеждането на лекционния курс са необходими: лекционна зала с шрайбпроектор или мултимедийно оборудване и лаборатория с необходимото оборудване за провеждане на упражнения.
Съдържание на курса: В предлагания курс студентите ще бъдат запознати с основните методи за получаване на полупроводникови материали с висока чистота и монокристално съвършенство. Акцентът е поставен върху кристализационните методи като е даден приоритет на тези от стопилка. Селекцията на разглежданите материали е направена на база на тяхната актуалност и значимост от гледна точна на съвременните полупроводникови технологии. Отделено е особено внимание на поли- и монокристалния силиций и е проследена еволюцията на този материал по отношение на чистота и кристално съвършенство. Значително място е посветено на полупроводниковите съединения и е проследена оста синтез-пречистване-израстване на монокристали. За илюстрация са подбрани съединения от групите А^3В^5 и А^2В^6, които имат решаващо значение за развитие на оптоелектрониката и сензорната техника. В курса са включени и методи за синтез и израстване на труднотопими материали, представени от сапфир, кварц, гранати и шпинели. Към всеки от методите за получаване на полупроводникови материали се разглежда и съответното апаратурно обезпечаване на същия. Представени са и няколко модерни направления на съвременното полупроводниково материалознание и технология като лазерно-стимулирани процеси и химическо отлагане от газова фаза с използване на метало-органични източници. Упражненията илюстрират лекционния курс.
Препоръчителна литература: 1. Беляев А.И., Жемчужина Е.А., Фирсанов П.А., Металлургия чистых металлов и элементарных полупроводников, Изд.”Металлургия”, М., 1969. 2. Беляев А.И., Физикохимические основы очистки металлов и полупроводниковых материаллов, Изд.”Металлургия”, М., 1973. 3. Виллардсон Р., Геринг Х., Полупроводниковые соединения А^3В^5, Изд.”металлургия”, М., 1967. 4. Авен М., Пренер Д., Физика и химия соединениях А^2В^6, Изд.Мир, М., 1970. 5. Пауел К., Осаждение из газовой фазы, Изд.Атомиздат, М., 1970. 6. Таиров Ю., Цветков В., Технология полупроводниковых и диэлектрических материаллов, Изд.Высшая школа, М., 1983 и 1990. 7. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г., Физикохимические основы технологии полупроводниковых материаллов, Изд.Металлургия, М., 1982. 8. Медведев С.А., Введение в технологию полупроводниковых материаллов, Изд.Высшая школа, М., 1979. 9. Джоглев Д.Х., Технология на полупроводниковите материали, Изд. Техника, С., 1978. 10. Шанов В.Н., Ръководство за упражнения по технология на полупроводниковите материали, Изд. МНП, С., 1985. 11. Пасынков В.В., Сорокин В.С., Материаллы электронной техники, Изд.Высшая школа, М., 1986. 12. Bardaley W., Hurde D., Mullin J., “Crystal Growth: A Tuterial Apreach”, North Holland Pub. Comp., 1979. 13. Pamplin B., “Crystal Growth” II Ed. Pergamon Press, 1980.
Методи на преподаване: Лекции, лабораторни упражнения.			Методи на оценяване: Писмен и устен изпит.
Кредити по видове дейност: Аудиторна заетост: 2,8 к. Извънаудиторна заетост: 3,2 к.