ТЕХНОЛОГИЯ НА ЕЛЕКТРОННИТЕ ЕЛЕМЕНТИ
Вид на курса: изравнителен, редовно		Ниво на курса: магистър		Година: 1
Семестър: 1	Брой кредити: 2
Цел на курса: Курсът запознава студентите с основните технологични операции при производството на дискретни полупроводникови прибори и интегрални схеми, както и със самата технология на диоди, транзистори и интегрални схеми.
Необходими условия: Лекционна зала, снабдена с щрайбпроектор (мултимедия) и лаборатория, снабдена с необходимото оборудване за провеждане на упражнения.
Съдържание на курса: Лекционният материал (с хорариум 30 часа) е обобщен в 4 раздела: основни процеси при производството на дискретни полупроводникови прибории електронни елементи (12 теми), полупроводникови диоди (2 теми), полупроводникови транзистори (3 теми), интегрални схеми (7 теми) и 5 основни теми за упражнения (с хорариум 15 часа).
Препоръчителна литература: 1. Т. Рачева, Технологични основи на микроелектрониката, изд. МНП, С., 1990 2.С. Карбанов, Технология на активните електронни елементи, Техника, С., 1979 3. А. И. Курносов, В. В. Юдин, Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, Высшая школа, М., 1986
Методи на преподаване: Лекции, беседи и дискусии, онагледявани с щрайбпроектор.			Методи на оценяване: Писмен изпит и събеседване за защита на изложения в писмен вид материал.
Кредити по видове дейност: Аудиторна заетост: 1,0 к. Извънаудиторна заетост: 1,0 к.