250
(340)
25
(29)
| ДИСЦИПЛИНИ | РЕДОВНО ОБУЧЕНИЕ | ЗАДОЧНО ОБУЧЕНИЕ | |
||||||||||||||
|
Аудиторна заетост | |
|
Аудиторна заетост | |
||||||||||||
|
Хорариум (часове) | |
|
Хорариум (часове) | |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
| Фундаментални дисциплини - две от изборен блок | I | И | 40 | 20 | 0 | 60 | 2 | 2 | I | И | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,0 | 3,0 | 4,0 |
| Изравнителен блок от бакалавърска степен: | |||||||||||||||||
| - Физика, химия и технология на полупроводниковите материали | I | И | 30 | 15 | 0 | 45 | 1,0 | 1,0 | I | И | 15 | 8 | 0 | 23 | 0,9 | 1,1 | 2,0 |
| - Технология на електронните елементи | I | И | 30 | 15 | 0 | 45 | 1,0 | 1,0 | I | И | 15 | 8 | 0 | 23 | 0,9 | 1,1 | 2,0 |
| Теория на кристалния растеж | I | И | 30 | 15 | 0 | 45 | 1,8 | 4,2 | I | И | 15 | 8 | 0 | 23 | 0,9 | 5,1 | 6,0 |
| Аморфни и стъклообразни полупроводници | I | И | 25 | 10 | 0 | 35 | 1,4 | 3,6 | I | И | 13 | 5 | 0 | 18 | 0,7 | 4,3 | 5,0 |
| Електротермия в полупроводниковото производство | I | Т | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,2 | 2,8 | I | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 3,4 | 4,0 |
| Курсова научно-изследователска работа – I семестър | I | защ. | 0 | 50 | 0 | 50 | 2,0 | 2,0 | I | защ. | 0 | 25 | 0 | 25 | 1,0 | 3,0 | 4,0 |
| Изборен блок – една от дисциплините: | |||||||||||||||||
| - Тънките слоеве (състав, структура и свойства) | I | И | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,0 | 1,0 | II | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 1,4 | 2,0 |
| - Наноматериали | I | И | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,0 | 1,0 | II | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 1,4 | 2,0 |
| - Електровакуумни материали | I | И | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,0 | 1,0 | II | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 1,4 | 2,0 |
| Общо за семестъра | 250 (340) |
25 (29) |
|||||||||||||||
| Силови и оптоелектронни полупроводникови прибори | II | И | 30 | 15 | 0 | 45 | 1,8 | 3,2 | II | И | 15 | 8 | 0 | 23 | 0,9 | 4,1 | 5,0 |
| Измерване параметрите на електротехнически материали | II | И | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,2 | 1,8 | II | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 2,4 | 3,0 |
| Мембранни процеси за дълбоко пречистване на веществата | II | И | 30 | 15 | 0 | 45 | 1,8 | 3,2 | II | И | 15 | 8 | 0 | 23 | 0,9 | 4,1 | 5,0 |
| Спектроскопски методи за анализ | II | Т | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,5 | 1,5 | III | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,8 | 2,2 | 3,0 |
| Курсова научно-изследователска работа – II семестър | II | защ. | 0 | 40 | 0 | 40 | 1,0 | 1,0 | III | защ. | 0 | 20 | 0 | 20 | 0,8 | 1,2 | 2,0 |
| Технологично и конструктивно проектиране в полупроводниковото производство (с проект) | II | защ. | 10 | 20 | 0 | 30 | 1,0 | 1,0 | III | защ. | 5 | 10 | 0 | 15 | 0,6 | 1,4 | 2,0 |
| Изборен блок – една от дисциплините: | |||||||||||||||||
| - Магнетизъм и магнитни носители на информация | II | Т | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,0 | 1,0 | III | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 1,4 | 2,0 |
| - Полупроводникови сензори | II | Т | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,0 | 1,0 | III | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 1,4 | 2,0 |
| - Корпусиране на полупроводникви прибори и интегрални схеми | II | Т | 20 | 10 | 0 | 30 | 1,0 | 1,0 | III | И | 10 | 5 | 0 | 15 | 0,6 | 1,4 | 2,0 |
| Общо за семестъра | 250 | 22 | |||||||||||||||
| Преддипломен стаж – 4 седмици | II | Т | 8 | ||||||||||||||
| Дипломна работа – 20 седмици | III | ДЗ | IV | 15 | |||||||||||||